C7035-TM06 NKT322-EH高导铜合金铜带

C7035-TM06 NKT322-EH高导铜合金铜带

电子工业
电子工业是新兴产业，在它蒸蒸日上的发展过程中，不断开发出钢的新产品和新的应用领域。它的应用己从电真空器件和印刷电路，发展到微电子和半导体集成电路中。
电真空器件
电真空器件主要是高频和**高频发射管、波导管、磁控管等，它们需 要高纯度无氧铜和弥散强化无氧铜。
印刷电路
铜印刷电路，是把铜箔作为表面，粘贴在作为支撑的塑料板上；用照相的办法把电路布线图印制在铜版上；通过浸蚀把多余的部分去掉而留下相互连接的电路。然后，在印刷线路板上与外部的连接处冲孔，把分立元件的接头或其它部分的终端插入，焊接在这个口路上，这样一个完整的线路便组装完成了。如果采用浸镀法，所有接头的焊接可以一次完成。这样，对于那些需要精细布置电路的场合，如无线电、电视机，计算机等，采用印刷电路可以节省大量布线和固定回路的劳动；因而得到广泛应用，需要消费大量的铜箔。此外，在电路的连接中还需用各种价格低廉、熔点低、流动性好的铜基钎焊材料。
集成电路

K81 CuSn0.15 C14415   K88 CuCrAgFeTiSi C18080




维兰德铜合金状态


C70250-TM00、C70250-TM02、C70250-TM03、C70250-TR02、C70250-R620、C70250-R650、C70250-R690、C70250-Y550、C70250-R760、CuNi3Si1Mg-R760、CuNi3Si1Mg-TM00、CuNi3Si1Mg-TM02、CuNi3Si1Mg-TM03、CuNi3Si1Mg-TR02、CuNi3Si1Mg-R620、CuNi3Si1Mg-R655、CuNi3Si1Mg-Y550、CuNi3Si1Mg-R690、K55-TM00、K55-TM02、K55-TM03、K55-TR02、K55-R620、K55-R650、K55-R690、K55-R760、K55-Y550
CuFe2P-R300、CuFe2P-R340、CuFe2P-R370、CuFe2P-R420、CuFe2P-R470、CuFe2P-R530、CuFe2P-H080、CuFe2P-H100、CuFe2P-H120、CuFe2P-H130、CuFe2P-H140、CuFe2P-H150、CuFe2P-O60、CuFe2P-H02、CuFe2P-H04、CuFe2P-H06、CuFe2P-H08、CuFe2P-H10、C19400-R300、C19400-R340、C19400-R370、C19400-R420、C19400-R470、C19400-R530、C19400-H080、C19400-H100、C19400-H120、C19400-H130、C19400-H140、C19400-H150、C19400-O60、C19400-H02、C19400-H04、C19400-H06、C19400-H08、C19400-H10、K65-R300、K65-R340、K65-R370、K65-R420、K65-R470、K65-R530、K65-H080、K65-H100、K65-H120、K65-H130、K65-H140、K65-H150、K65-O60、K65-H02、K65-H04、K65-H06、K65-H08、K65-H10、
C18400-R480、C18400-R540、C18150-R480、C18150-R540、CW106C-R480、CW106C

微电子技术的核心是集成电路。集成电路是指以半导体晶体材料为基片（芯片），采用专门的工艺技术将组成电路的元器件和互连线集成在基片内部、表面或基片之上的微小型化电路。这种微电路在结构上比zui紧凑的分立元件电路在尺寸和重量上小成千上万倍。它的出现引起了计算机的巨大变革，成为现代信息技术的基础。己开发出的很大规模集成电路，在比小姆指甲还小的单个芯片面积上，能做出的晶体管数目，己达十万甚至百万以上。国际的计算机公司IBM（国际商业机器公司），己采用铜代替硅芯片中的铝作互连线，取得了突破性进展。这种用铜的新型微芯片，可以获得30%的效能增益，电路的线尺寸可以减小到0.12微米，可使在单个芯片上集成的晶体管数目达到200万个。这就为古老的金属铜，在半导体集成电路这个zui新技术领域中的应用，开创了新局面 [1]  。引线框架
为了保护集成电路或混合电路的正常工作，需要对它进行封装；并在封装时，把电路中大量的接头从密封体内引出来。这些引线要求有一定的强度，构成该集成封装电路的支承骨架，称为引线框架。实际生产中，为了高速大批量生产，引线框架通常在一条金属带上按特定的排列方式连续冲压而成。框架材料占集成电路总成本的1/3～ l/4，而且用量很大；因此，必须要有低的成本。

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